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GermanyBSC072N03LDGATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSC072N03LDGATMA1
Explicación
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 15V
Power - Max
57W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-4
Base Product Number
BSC072N03
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSC072N03LD G-ND
SP000359607
BSC072N03LD GTR
BSC072N03LDGATMA1TR
BSC072N03LD GCT-ND
BSC072N03LD GCT
2156-BSC072N03LDGATMA1TR
BSC072N03LD G
BSC072N03LD GTR-ND
BSC072N03LDG
BSC072N03LDGATMA1CT
BSC072N03LDGATMA1DKR
BSC072N03LD GDKR-ND
BSC072N03LD GDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
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Cantidad y precio
-
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