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GermanySI6463DQ
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI6463DQ
Explicación
P-CHANNEL MOSFET
Descripción detallada
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
650
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5045 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
600mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-TSSOP
Package / Case
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
2156-SI6463DQ
FAIFSCSI6463DQ
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor SI6463DQ
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 650
Precio unitario: $0.46
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 650
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 650
Alternativas
-