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Germany2SC3324GRTE85LF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SC3324GRTE85LF
Explicación
TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
2SC3324GRTE85LF Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Power - Max
150 mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
TO-236
Base Product Number
2SC3324
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
2SC3324-GR(TE85L,F
2SC3324GRTE85LFDKR
2SC3324GRTE85LFCT
2SC3324GRTE85LFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SC3324)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL Rev Apr/2021)
EDA Models
1(2SC3324GRTE85LF Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2SC2713-GR,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 13,935
Precio unitario : $0.29000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 13,935
Precio unitario : $0.29000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent