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GermanyCMF02A,LQ(M
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
CMF02A,LQ(M
Explicación
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Descripción detallada
Diode 600 V 1A Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Box
Product Status
Active
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2 V @ 1 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOD-128
Supplier Device Package
M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction
150°C
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
264-CMF02A,LQ(M-ND
264-CMF02ALQ(M
264-CMF02A,LQ(M
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A,LQ(M
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
-