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GermanyIRFBA90N20DPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFBA90N20DPBF
Explicación
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Descripción detallada
N-Channel 200 V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6080 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
650W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
SUPER-220™ (TO-273AA)
Package / Case
TO-273AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001551776
*IRFBA90N20DPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFBA90N20DPbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFBA90N20DPbF)
Simulation Models
1(IRFBA90N20DPBF Saber Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STW75NF20
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $4.78000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $4.78000
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