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GermanyMT29F1G08ABAEAM68M3WC1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
Explicación
IC FLASH 1GBIT PARALLEL DIE
Descripción detallada
FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel Die
Fabricación
Micron Technology Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
1Gbit
Memory Organization
128M x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
MT29F1G08
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
Documentos y medios de comunicación
PCN Packaging
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L
Fabricante : Micron Technology Inc.
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.60000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.60000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended