Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IXFX32N80Q3
Explicación
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Descripción detallada
N-Channel 800 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
98 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Q3 Class
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6940 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1000W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PLUS247™-3
Package / Case
TO-247-3 Variant
Base Product Number
IXFX32

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFX32N80Q3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IXFx32N80Q3)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXFx32N80Q3)

Cantidad y precio

Cantidad: 120
Precio unitario: $24.3615
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 30
Precio unitario: $25.98567
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $31.35
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

-