Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FDD3570
Explicación
MOSFET N-CH 80V 10A TO252
Descripción detallada
N-Channel 80 V 10A (Ta) 3.4W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
513
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.4W (Ta), 69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-FDD3570
FAIFSCFDD3570
2156-FDD3570-FSTR-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDD3570

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FDD3570)

Cantidad y precio

Cantidad: 513
Precio unitario: $0.59
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 513

Alternativas

-