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GermanyIPS65R650CEAKMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPS65R650CEAKMA1
Explicación
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
Descripción detallada
N-Channel 700 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
86W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPS65R650
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001422888
INFINFIPS65R650CEAKMA1
2156-IPS65R650CEAKMA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS65R650CEAKMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPS65R650CE)
HTML Datasheet
1(IPS65R650CE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPS70R600P7SAKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 177
Precio unitario : $0.88000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 177
Precio unitario : $0.88000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Modelo de producto : STU11N65M2
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 814
Precio unitario : $1.67000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $1.67000
Tipo de reemplazo : Similar