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GermanyNDP6030PL
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NDP6030PL
Explicación
MOSFET P-CH 30V 30A TO220-3
Descripción detallada
P-Channel 30 V 30A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
NDP603
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NDP6030PL
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NDP6030PL, NDB6030PL)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-