English
China
Rusia
Italy
GermanyA3G26D055N-100
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
A3G26D055N-100
Explicación
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Descripción detallada
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7x6.5)
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
GaN
Frequency
100MHz ~ 2.69GHz
Gain
13.9dB
Voltage - Test
48 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
40 mA
Power - Output
8W
Voltage - Rated
125 V
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-LDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
6-PDFN (7x6.5)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. A3G26D055N-100
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(A3G26D055N)
Environmental Information
()
Cantidad y precio
Cantidad: 1
Precio unitario: $315
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-