English
China
Rusia
Italy
GermanyNAND01GW3B2AZA6E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NAND01GW3B2AZA6E
Explicación
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
Descripción detallada
FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel 30 ns 63-VFBGA (9x11)
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,260
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
1Gbit
Memory Organization
128M x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
30ns
Access Time
30 ns
Voltage - Supply
2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
63-TFBGA
Supplier Device Package
63-VFBGA (9x11)
Base Product Number
NAND01
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/STMicroelectronics NAND01GW3B2AZA6E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NAND01G-B2B, NAND02G-B2C)
Featured Product
1(Serial EEPROMs)
HTML Datasheet
1(NAND01G-B2B, NAND02G-B2C)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-