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GermanyTSM60N600CI C0G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TSM60N600CI C0G
Explicación
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB
Descripción detallada
N-Channel 600 V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
743 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220AB
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
TSM60
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
TSM60N600CIC0G
TSM60N600CI C0G-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CI C0G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(TSM60N600CI C0G)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 22/Jan/2024)
HTML Datasheet
1(TSM60N600)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXKP24N60C5M
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar