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GermanyPDTA114ET,235
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PDTA114ET,235
Explicación
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
Power - Max
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23
Base Product Number
PDTA114
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
2156-PDTA114ET,235
NEXNXPPDTA114ET,235
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PDTA114ET,235
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PDTA114ET,215 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 15000
Precio unitario: $0.02
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 15000
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 15000
Alternativas
-