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GermanyRN1114(T5L,F,T)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RN1114(T5L,F,T)
Explicación
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
RN1114(T5L,F,T) Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
250 MHz
Power - Max
100 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device Package
SSM
Base Product Number
RN1114
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
RN1114T5LFT
RN1114(T5LFT)TR
RN1114(T5LFT)CT
RN1114(T5LFT)DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1114(T5L,F,T)
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RN1114,5,6,7,8)
EDA Models
1(RN1114(T5L,F,T) Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-