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GermanyIPD053N06N3GBTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD053N06N3GBTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 58µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
115W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Base Product Number
IPD053N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD053N06N3GBTMA1CT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 G-ND
IPD053N06N3G
IPD053N06N3GBTMA1DKR
IPD053N06N3 GTR-ND
IPD053N06N3GBTMA1TR
IPD053N06N3 G
SP000453318
IPD053N06N3 GDKR-ND
IPD053N06N3 GDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD053N06N3GBTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD053N06N3 G)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPD053N06N3 G)
Cantidad y precio
-
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