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GermanyIRGC4275B
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRGC4275B
Explicación
IGBT CHIP
Descripción detallada
IGBT 650 V Surface Mount Die
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Gate Charge
380 nC
Td (on/off) @ 25°C
130ns/280ns
Test Condition
400V, 200A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Otros nombres
SP001536358
448-IRGC4275B
SP000691764
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Infineon Technologies IRGC4275B
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRGC4275B)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Lot No Add 11/Jan/2022)
HTML Datasheet
1(IRGC4275B)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SIGC100T65R3EX1SA2
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar