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GermanyBF821/DG/B2215
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BF821/DG/B2215
Explicación
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 50 mA 60MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,438
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 25mA, 20V
Power - Max
250 mW
Frequency - Transition
60MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
NEXNXPBF821/DG/B2215
2156-BF821/DG/B2215
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. BF821/DG/B2215
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BF821,235 Datasheet)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-