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GermanyFF900R12IE4VPBOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FF900R12IE4VPBOSA1
Explicación
IGBT MOD 1200V 900A 20MW
Descripción detallada
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 900 A 20 mW Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
14 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
3
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
PrimePACK™2
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
900 A
Power - Max
20 mW
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 900A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF900R12
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001625368
FF900R12IE4VP
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF900R12IE4VPBOSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FF900R12IE4VP)
HTML Datasheet
1(FF900R12IE4VP)
Forum Discussions
1(What’s the suffix BOSA1 mean in Infineon FF600R12IE4BOSA1?)
Cantidad y precio
Cantidad: 12
Precio unitario: $520.15833
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 3
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 3
Cantidad: 3
Precio unitario: $540.47667
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 3
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 3
Alternativas
-