Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFH4209DTRPBF
Explicación
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
Descripción detallada
N-Channel 25 V 44A (Ta), 260A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
FASTIRFET™, HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
44A (Ta), 260A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4620 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerTDFN

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH4209DTRPBF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRFH4209DPbF)
Environmental Information
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRFH4209DPbF)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : BSC010NE2LSATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 19,311
Precio unitario : $1.65000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IRFH4210DTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1
Precio unitario : $2.48000
Tipo de reemplazo : Similar