Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
GC10MPS12-220
Explicación
DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO220-2
Descripción detallada
Diode 1200 V 54A Through Hole TO-220-2
Fabricación
GeneSiC Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
GeneSiC Semiconductor
Series
SiC Schottky MPS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
54A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 10 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
10 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F
660pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Base Product Number
GC10MPS12

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
California Prop 65

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(GC10MPS12-220)
Featured Product
1(Silicon Carbide Schottky Diode)
PCN Obsolescence/ EOL
1(OBS 14/Jun/2023)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : GD10MPS12A
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $3.89000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Modelo de producto : SICR101200
Fabricante : SMC Diode Solutions
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $8.04000
Tipo de reemplazo : Similar