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GermanyF1T3G A0G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
F1T3G A0G
Explicación
DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
Descripción detallada
Diode 200 V 1A Through Hole TS-1
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Box (TB)
Product Status
Active
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Current - Average Rectified (Io)
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.3 V @ 1 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
150 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 200 V
Capacitance @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
T-18, Axial
Supplier Device Package
TS-1
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C
Base Product Number
F1T3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
F1T3G A0G-ND
F1T3GA0G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Taiwan Semiconductor Corporation F1T3G A0G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(F1T1G - F1T7G)
Environmental Information
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-