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GermanyIXTM67N10
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXTM67N10
Explicación
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
Descripción detallada
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
GigaMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-204AE
Package / Case
TO-204AE
Base Product Number
IXTM67
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTM67N10
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXT(H,M,T) 67N10, 75N10)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
HTML Datasheet
1(IXT(H,M,T) 67N10, 75N10)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PSMN013-100PS,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 3,262
Precio unitario : $2.42000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,262
Precio unitario : $2.42000
Tipo de reemplazo : Similar