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GermanyGSID100A120T2C1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
GSID100A120T2C1
Explicación
IGBT MOD 1200V 200A 640W
Descripción detallada
IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 200 A 640 W Chassis Mount Module
Fabricación
SemiQ
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
SemiQ
Series
Amp+™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Power - Max
640 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
13.7 nF @ 25 V
Input
Three Phase Bridge Rectifier
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
GSID100
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/SemiQ GSID100A120T2C1
Documentos y medios de comunicación
PCN Obsolescence/ EOL
1(DK OBS NOTICE)
HTML Datasheet
1(GSID100A120T2C1)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-