English
China
Rusia
Italy
GermanyFQI7N60TU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQI7N60TU
Explicación
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Descripción detallada
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
210
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1430 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
FQI7N60
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FQI7N60TU
ONSONSFQI7N60TU
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI7N60TU
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQI7N60TU Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 210
Precio unitario: $1.44
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 210
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 210
Alternativas
-