Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SPI07N60C3XKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
Descripción detallada
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
SPI07N

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

INFINFSPI07N60C3XKSA1
2156-SPI07N60C3XKSA1
SP000680976

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPI07N60C3XKSA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SPP/SPI/SPA07N60C3)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPP/SPI/SPA07N60C3)
Simulation Models
1(CoolMOS™ PowerMOSFET 600V C3 Spice Model)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : STI24NM60N
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 981
Precio unitario : $5.02000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : FQI8N60CTU
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 36,817
Precio unitario : $1.19000
Tipo de reemplazo : Similar