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GermanyIRFH5020TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFH5020TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Descripción detallada
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 100 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5020TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFH5020PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH5020PBF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : TPH6400ENH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 8,000
Precio unitario : $1.66000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 8,000
Precio unitario : $1.66000
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