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Germany2SD1667S
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SD1667S
Explicación
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220ML
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
606
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 1A, 2V
Power - Max
2 W
Frequency - Transition
30MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220ML
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
ONSONS2SD1667S
2156-2SD1667S
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SD1667S
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 606
Precio unitario: $0.5
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 606
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 606
Alternativas
-