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GermanyIPA50R299CPXKSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPA50R299CPXKSA1
Explicación
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Descripción detallada
N-Channel 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPA50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
INFINFIPA50R299CPXKSA1
2156-IPA50R299CPXKSA1-IT
SP000236079
IPA50R299CP-ND
IPA50R299CP
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPA50R299CPXKSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPA50R299CP)
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.28000
Tipo de reemplazo : Direct
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Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 942
Precio unitario : $3.69000
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Cantidad disponible : 982
Precio unitario : $4.39000
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Modelo de producto : TK13A50D(STA4,Q,M)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 25
Precio unitario : $2.92000
Tipo de reemplazo : Similar
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