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GermanyBUK661R6-30C118
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUK661R6-30C118
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
342
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14964 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-BUK661R6-30C118
NEXNXPBUK661R6-30C118
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK661R6-30C118
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUK661R6-30C)
HTML Datasheet
1(BUK661R6-30C)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-