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GermanyBUK7E1R8-40E,127
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUK7E1R8-40E,127
Explicación
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11340 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
349W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BUK7E1R840E127
NEXBUK7E1R8-40E127
568-9849-5-ND
2156-BUK7E1R8-40E,127-NEX
1727-7241
568-9849-5
934066512127
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Nexperia USA Inc. BUK7E1R8-40E,127
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUK7E1R8-40E)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 29/Jun/2020)
PCN Packaging
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-