Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
BCR185WE6327
Explicación
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
200 MHz
Power - Max
250 mW
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
PG-SOT323-3-1
Base Product Number
BCR185

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Otros nombres

INFINFBCR185WE6327
2156-BCR185WE6327

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Infineon Technologies BCR185WE6327

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 15000
Precio unitario: $0.02
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 15000

Alternativas

-