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GermanyBAT6307WH6327XTSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BAT6307WH6327XTSA1
Explicación
DIODE ARRAY SCHOTTKY 3V SOT343
Descripción detallada
RF Diode Schottky - 2 Independent 3V 100 mA 100 mW PG-SOT343-3D
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Diode Type
Schottky - 2 Independent
Voltage - Peak Reverse (Max)
3V
Current - Max
100 mA
Capacitance @ Vr, F
0.85pF @ 0.2V, 1MHz
Resistance @ If, F
-
Power Dissipation (Max)
100 mW
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-82A, SOT-343
Supplier Device Package
PG-SOT343-3D
Base Product Number
BAT63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Otros nombres
2156-BAT6307WH6327XTSA1-ITTR
SP000743534
INFINFBAT6307WH6327XTSA1
BAT 63-07W H6327-ND
BAT6307WH6327XTSA1TR
BAT 63-07W H6327
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/RF Diodes/Infineon Technologies BAT6307WH6327XTSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BAT63)
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1(BAT63)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 1SS384TE85LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 21,477
Precio unitario : $0.41000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 21,477
Precio unitario : $0.41000
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