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GermanyMG12150D-BA1MM
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MG12150D-BA1MM
Explicación
IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3
Descripción detallada
IGBT Module Half Bridge 1200 V 210 A 1100 W Chassis Mount D3
Fabricación
Littelfuse Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
60
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Littelfuse Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
210 A
Power - Max
1100 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 150A (Typ)
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
11 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
D3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-MG12150D-BA1MM
F6480
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Littelfuse Inc. MG12150D-BA1MM
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(MG12150D-BA1MM)
Video File
1(Building Automation – Protect/Sense/Control)
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(MG12150D-BA1MM)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-