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GermanyMRF6S21100HSR3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MRF6S21100HSR3
Explicación
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Descripción detallada
RF Mosfet 28 V 950 mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 15.9dB 23W NI-780S
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
2.11GHz ~ 2.17GHz
Gain
15.9dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
950 mA
Power - Output
23W
Voltage - Rated
68 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
NI-780S
Supplier Device Package
NI-780S
Base Product Number
MRF6
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. MRF6S21100HSR3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(MRF6S21100H)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(RF Devices 01/Jul/2010)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(MRF6S21100H)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-