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GermanyBUK6E2R0-30C127
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUK6E2R0-30C127
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
329
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14964 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
NEXNXPBUK6E2R0-30C127
2156-BUK6E2R0-30C127
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK6E2R0-30C127
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUK6E2R0-30C)
HTML Datasheet
1(BUK6E2R0-30C)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-