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GermanyIRFH5025TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFH5025TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Descripción detallada
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRFH5025TR2PBF Models
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRFH5025TR2PBFTR
SP001563928
IRFH5025TR2PBFDKR
IRFH5025TR2PBFCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFH5025PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH5025PBF)
EDA Models
1(IRFH5025TR2PBF Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SI7190DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 5,620
Precio unitario : $1.97000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $1.97000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : TPH1110FNH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 11,610
Precio unitario : $1.75000
Tipo de reemplazo : Similar
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