Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FCH077N65F-F155
Explicación
MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Descripción detallada
N-Channel 650 V 54A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247-3
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
66
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
FRFET®, SuperFET® II
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7109 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
481W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Otros nombres

2156-FCH077N65F-F155
ONSFSCFCH077N65F-F155

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FCH077N65F-F155

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 66
Precio unitario: $6.04
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 66

Alternativas

-