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GermanyIRF7313TRPBF-1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF7313TRPBF-1
Explicación
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Power - Max
2W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
IRF731
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies IRF7313TRPBF-1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF7313PbF-1)
HTML Datasheet
1(IRF7313PbF-1)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-