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GermanySI5433BDC-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI5433BDC-T1-GE3
Explicación
MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
Descripción detallada
P-Channel 20 V 4.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Base Product Number
SI5433
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SI5433BDC-T1-GE3DKR
SI5433BDC-T1-GE3TR
SI5433BDCT1GE3
SI5433BDC-T1-GE3CT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI5433BDC-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML Datasheet
1(SI5433BDC)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SI5457DC-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 28,448
Precio unitario : $0.55000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 28,448
Precio unitario : $0.55000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : NTHS4101PT1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 8,830
Precio unitario : $1.03000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $1.03000
Tipo de reemplazo : Similar