Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRF6607
Explicación
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Descripción detallada
N-Channel 30 V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,800
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6930 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MT
Package / Case
DirectFET™ Isometric MT

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

*IRF6607
IRF6607CT
IRF6607-ND
SP001532212
IRF6607TR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6607

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IRF6607)
Other Related Documents
()
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : PSMN3R0-30YL,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 42,090
Precio unitario : $1.22000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : PSMN3R5-30YL,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 7,138
Precio unitario : $1.16000
Tipo de reemplazo : Similar