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GermanyAUIRF7799L2TR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AUIRF7799L2TR
Explicación
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFT
Descripción detallada
N-Channel 250 V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
68
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6714 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric L8
Package / Case
DirectFET™ Isometric L8
Clasificaciones medioambientales y de exportación
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
INFIRFAUIRF7799L2TR
2156-AUIRF7799L2TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier AUIRF7799L2TR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AUIRF7799L2TR Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 68
Precio unitario: $4.46
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 68
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 68
Alternativas
-