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GermanyIRFH7882TRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFH7882TRPBF
Explicación
MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN
Descripción detallada
N-Channel 80 V 26A (Ta) 4W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
FASTIRFET™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
26A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3186 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4W (Ta), 195W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-VQFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRFH7882TRPBFTR
IRFH7882TRPBFCT
IRFH7882TRPBFDKR
SP001566842
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH7882TRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFH7882PbF)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Packing Material Update 16/Sep/2016)
HTML Datasheet
1(IRFH7882PbF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : BSC030N08NS5ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 21,675
Precio unitario : $2.24000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 21,675
Precio unitario : $2.24000
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