Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
NDH832P
Explicación
MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
Descripción detallada
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
807
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SuperSOT™-8
Package / Case
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Otros nombres

2156-NDH832P-FSTR-ND
FAIFSCNDH832P
2156-NDH832P

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor NDH832P

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(NDH832P)

Cantidad y precio

Cantidad: 807
Precio unitario: $0.37
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 807

Alternativas

-