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GermanySIGC100T65R3EX1SA2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIGC100T65R3EX1SA2
Explicación
IGBT CHIP
Descripción detallada
IGBT Trench Field Stop 650 V 200 A Surface Mount Die
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
TrenchStop™
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
600 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 200A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
SIGC100
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
448-SIGC100T65R3EX1SA2
SP000691764
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Infineon Technologies SIGC100T65R3EX1SA2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIGC100T65R3E)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(SIGC100T65R3E)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-