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GermanyBSM120D12P2C005
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM120D12P2C005
Explicación
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Descripción detallada
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
17 Weeks
Modelo edacad
BSM120D12P2C005 Models
Embalaje estándar
12
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 22mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 10V
Power - Max
780W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
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1(BSM120D12P2C005 Models)
Simulation Models
1(BSM120D12P2C005 Spice Model)
Reliability Documents
1(SiC PM Reliability Test)
Cantidad y precio
Cantidad: 10
Precio unitario: $380.362
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
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Cantidad: 1
Precio unitario: $395.22
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
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Alternativas
-