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GermanyPHE13003C,126
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PHE13003C,126
Explicación
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,963
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
5 @ 1A, 2V
Power - Max
2.1 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device Package
TO-92-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
WENNXPPHE13003C,126
2156-PHE13003C,126
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PHE13003C,126
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PHE13003C,412 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 3963
Precio unitario: $0.08
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 3963
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 3963
Alternativas
-