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GermanyIRF5804TRPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF5804TRPBF
Explicación
MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Descripción detallada
P-Channel 40 V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
198mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
Micro6™(TSOP-6)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF5804TRPBF-ND
IRF5804TRPBFTR
SP001561856
IRF5804TRPBFCT
IRF5804TRPBFDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF5804TRPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF5804PbF)
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Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF5804PbF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SI3438DV-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 15,499
Precio unitario : $1.07000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $1.07000
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