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GermanyIRL8114PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRL8114PBF
Explicación
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 30 V 90A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
247
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2660 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
115W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
2156-IRL8114PBF
INFINFIRL8114PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRL8114PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRL8114PBF)
Cantidad y precio
Cantidad: 247
Precio unitario: $1.22
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 247
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 247
Alternativas
-