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GermanyIRFD9120
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFD9120
Explicación
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Descripción detallada
P-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
325
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
HARHARIRFD9120
2156-IRFD9120-HC
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRFD9120
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFD9123)
Cantidad y precio
Cantidad: 325
Precio unitario: $0.92
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 325
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 325
Alternativas
-